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微懸臂梁彎曲法測(cè)量3C-SiC薄膜斷裂強(qiáng)度
- 微懸臂梁
- 彎曲實(shí)驗(yàn)
- 威布爾統(tǒng)計(jì)
- 斷裂強(qiáng)度
摘要：針對(duì)惡劣環(huán)境下MEMS對(duì)高強(qiáng)度材料的需求,采用化學(xué)氣相沉積（CVD）外延生長(zhǎng)3C-SiC薄膜.利用微力學(xué)操縱系統(tǒng),對(duì)3C-SiC微懸臂梁進(jìn)行了彎曲實(shí)驗(yàn).利用厚板結(jié)構(gòu)的有限元仿真和威布爾統(tǒng)計(jì),得到3C-SiC薄膜斷裂強(qiáng)度.結(jié)果表明：不同尺寸3C-SiC微懸臂梁威布爾特征強(qiáng)度為1 852.15 MPa、2 554.56 MPa、2 598.39 MPa、2 911.64 MPa,威布爾模數(shù)分別為9.547、11.541、18.909、20.733.斷裂強(qiáng)度隨微懸臂梁寬度增加而減小,威布爾模數(shù)也減小,分析認(rèn)為：結(jié)構(gòu)尺寸越大的微懸臂梁,含有的生長(zhǎng)缺陷（如孔洞、裂紋等）越多,造成其斷裂強(qiáng)度越低.
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納米技術(shù)與精密工程
- 預(yù)計(jì)1-3個(gè)月 預(yù)計(jì)審稿周期
- 0.47 影響因子
- 工業(yè) 快捷分類
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