首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 信息科技 > 無(wú)線電電子學(xué) > 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 > 基于SiC的NPN雙極型晶體管設(shè)計(jì) 【正文】
基于SiC的NPN雙極型晶體管設(shè)計(jì)
冷賀彬; 朱平 中北大學(xué)儀器與電子學(xué)院; 太原030000
- npn雙極型晶體管
- sic
- 工作溫度
- 擊穿電壓
- 特征頻率
摘要：利用高禁帶寬度的SiC材料,設(shè)計(jì)了一種基于SiC的NPN雙極型晶體管,該晶體管采用多層緩變摻雜基區(qū)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。在完成晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上,仿真分析了晶體管的直流電流增益、擊穿特性以及頻率特性。在工藝方面,設(shè)計(jì)完成了晶體管制備工藝流程與版圖。仿真結(jié)果表明,SiC雙極型晶體管具有擊穿電壓高(BVCEO=900 V)、特征頻率高(fT=5 GHz),晶體管增益適中(β=33)等特點(diǎn)。
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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
- 預(yù)計(jì)1-3個(gè)月 預(yù)計(jì)審稿周期
- 0.29 影響因子
- 電子 快捷分類
- 雙月刊 出版周期
主管單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司;主辦單位：南京電子器件研究所
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