首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 信息科技 > 無(wú)線電電子學(xué) > 電子工業(yè)專用設(shè)備 > 硅晶片激光標(biāo)識(shí)工藝參數(shù)的研究 【正文】
摘要:介紹了應(yīng)用于硅晶片激光標(biāo)識(shí)的激光打標(biāo)系統(tǒng)結(jié)構(gòu),并以光纖振鏡式激光打標(biāo)機(jī)為例,探索了不同打標(biāo)工藝參數(shù)的選擇對(duì)晶片激光標(biāo)識(shí)效果的影響。采用單因素實(shí)驗(yàn)法分別研究了不同激光打標(biāo)功率、打標(biāo)速度和打標(biāo)頻率對(duì)硅片打標(biāo)效果的影響,并分析了其影響其打標(biāo)效果的原理。通過(guò)目檢和金相顯微鏡對(duì)激光標(biāo)識(shí)進(jìn)行觀察,確定了最佳的打標(biāo)工藝,最終得到了優(yōu)化的打標(biāo)工藝即采用激光額定功率的45%,頻率為25kHz,打標(biāo)速度為150mm/s,可得到標(biāo)識(shí)清楚、深淺一致、不損傷晶片特性的激光標(biāo)識(shí)。
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